今日irf3205逆变器电路图（irf3205）

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1、IRF3205是mos管，耐压50v，过流90A。去电子市场买3205就行了。

2、Mos是金属-氧化物)-半导体场效应晶体管，或金属-绝缘体)-半导体。MOS晶体管的源漏可以切换，都是P型背栅中形成的N型区。在大多数情况下，两个区域是相同的，即使两端切换，器件的性能也不会受到影响。这种器件被认为是对称的。

3、双极晶体管放大输入端的小电流变化，然后在输出端输入N沟道mos晶体管以指示大电流变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比()。另一种晶体管叫FET，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于其跨导，跨导定义为输出电流的变化与输入电压的变化之比。市场上常用的一般是N通道和P通道。详见右图(N沟道耗尽型MOS晶体管)。而公共p沟道是低压mos晶体管。

4、FET通过投影P沟道mos晶体管来影响流经晶体管的电流，以在绝缘层上象征电场。实际上没有电流流过这个绝缘体，所以场效应管的栅极电流很小。最常见的FET在栅电极下使用一薄层二氧化硅作为绝缘体。这种晶体管被称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。因为MOS晶体管更小、更节能，所以在许多应用中已经取代了双极晶体管。

5、对于电源设计或者驱动电路，不可避免的要用到MOS管。MOS管有许多种类和功能。做电源或驱动的使用，当然是利用它的开关功能。

6、无论N型还是P型MOS晶体管，其工作原理本质上都是一样的。MOS管通过施加到输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是一种压控器件。它通过施加在栅极上的电压来控制器件的特性，三极管用于开关时基极电流引起的电荷存储效应不会发生。所以在开关应用中，MOS管的开关速度要比三极管快。

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